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氮化鋁基板 垂直結構硅基大功率紫外芯片 獨特的芯片焊線設計
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LP-UVM5535180A1采用垂直結構硅襯底大功率紫外LED芯片,基板線路設計靈活,在小的發(fā)光區(qū)內(nèi)可實現(xiàn)高密度的紫外光輸出,焊線具有高可靠性,產(chǎn)品的尺寸功率可根據(jù)客戶要求定制。
采用陶瓷基板,導熱性能好??
垂直結構紫外芯片發(fā)光,能量密度集中??
獨特的芯片焊線設計,高可靠性??
光電參數(shù):?(T solder pad =25 ℃)??? | ||||
光區(qū)面積 (mm) | 峰值波長 (nm) | 輻射強度 (W/cm2) | 正向電壓 (V) | 功率 (W) |
Typ.@1500mA | ||||
33.96*28.3 | 390~395 | ≥15 | 140 | 180 |