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前瞻報(bào)告|晶能Mini/Micro最新進(jìn)展

時(shí)間:2021-12-09 來源: 點(diǎn)擊:1492


2021年12月7日, 在深圳舉辦了“2022集邦咨詢化合物半導(dǎo)體新應(yīng)用前瞻分析會”。晶能光電應(yīng)邀參加,大會上晶能光電外延研發(fā)經(jīng)理郭嘯分享了《硅基氮化鎵Micro LED顯示技術(shù)發(fā)展與未來》的主題報(bào)告。

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演講中,晶能光電外延研發(fā)經(jīng)理郭嘯為大家分享了硅襯底Mini LED和Micro LED的特點(diǎn)和優(yōu)勢。在談到Mini LED時(shí),郭經(jīng)理詳細(xì)介紹了晶能光電的硅襯底全垂直結(jié)構(gòu)Mini LED產(chǎn)品量產(chǎn)規(guī)劃并介紹了Mini LED 超高清顯示屏應(yīng)用進(jìn)展和正在開發(fā)中的TFFC芯片P0.6—P0.3間距解決方案。同時(shí)也介紹了在超高清顯示屏應(yīng)用中硅襯底全垂直結(jié)構(gòu)Mini LED產(chǎn)品有著光品質(zhì)優(yōu)良、垂直發(fā)光沒有側(cè)光、對比度高;同時(shí)具有良好的耐電流沖擊和抗靜電能力;產(chǎn)品一致性好、穩(wěn)定性好、可靠性高;沒有金屬Cr可完全避免金屬離子遷移問題等幾大優(yōu)勢。

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在Micro LED部分,他指出,相比成熟的OLED技術(shù),Micro LED顯示技術(shù)具有低功耗;高對比度、高亮度;超高解析度和色彩飽和度;高刷新率,壽命長、穩(wěn)定性好;寬色域、寬視角;透明性、無縫銜接等先天優(yōu)勢。但是在開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化過程中還存在很多的困難,其中紅光LED是Micro LED技術(shù)的重大瓶頸之一,開發(fā)高效的GaN基紅光Micro LED成為當(dāng)務(wù)之急。

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郭嘯表示晶能光電的GaN基 LED技術(shù)在這方面有著很大的優(yōu)勢,由于硅襯底GaN與硅半導(dǎo)體晶圓的物理兼容性,硅襯底Micro LED在制程良率和制造成本上有明顯的優(yōu)勢,可以最大效能利用現(xiàn)有資源,同時(shí)避開巨量轉(zhuǎn)移問題,晶能光電優(yōu)先著力Micro LED微顯示研究,應(yīng)用AR/VR/HUD/HMD等方向,硅基GaN與硅基CMOS驅(qū)動電路進(jìn)行晶圓級邦定,去除硅襯底后在CMOS晶圓繼續(xù)GaN芯片工藝。

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本著先單色、后全彩化的研究路線,2021年9月,晶能光電已成功制備紅、綠、藍(lán)三基色硅襯底Micro LED陣列,在Micro LED全彩芯片開發(fā)上邁出了關(guān)鍵的一步。我們也已經(jīng)和國內(nèi)外多家企業(yè)和科研單位聯(lián)合開發(fā)硅襯底Micro LED顯示技術(shù),我們期待與更多產(chǎn)業(yè)鏈合作伙伴一起推動Micro LED新時(shí)代顯示技術(shù)的發(fā)展。


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