2016年年末，《2016年中國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展白皮書》（以下稱《白皮書》）發(fā)布。在《白皮書》中，國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟產(chǎn)業(yè)研究院（CSA Research）對2016年的LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)行了全景式回顧與展望。

《白皮書》指出，2016年LED技術(shù)水平明顯提升，熱點(diǎn)方向變化更迭。其中，硅襯底LED技術(shù)作為第三種技術(shù)路線不斷取得突破，硅基黃光LED（565nm）電光轉(zhuǎn)換效率達(dá)到21%（20A/cm2），光效達(dá)到130 lm/W；硅基綠光LED（520nm）電光轉(zhuǎn)換效率達(dá)到40%（20A/cm2），光效超過180 lm/W，達(dá)到國際領(lǐng)先水平。硅襯底LED的技術(shù)突破為非熒光粉轉(zhuǎn)化的全光譜LED光源開發(fā)打下堅實基礎(chǔ)。

（信息整理自中國半導(dǎo)體照明網(wǎng)）