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Micro LED

Micro LED新型顯示技術(shù)有廣闊的發(fā)展前景,可應(yīng)用于AR眼鏡、HUD、ADB車燈、透明顯示等廣闊領(lǐng)域。8英寸及以上的硅襯底GaN搭配硅CMOS驅(qū)動晶圓的Micro LED技術(shù),可以借助成熟的集成電路設(shè)備和工藝,是制造低成本、高良率的Micro-LED的必然產(chǎn)業(yè)化路線。


依托近20年的硅襯底LED全鏈條產(chǎn)業(yè)化積累,晶能光電針對Micro LED應(yīng)用開發(fā)了365nm~650nm的4英寸~12英寸硅襯底InGaN基近紫外、藍(lán)、綠、紅光外延片,在光效、一致性、可靠性等關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)化指標(biāo)上進(jìn)行了全方位優(yōu)化,并在此基礎(chǔ)上成功開發(fā)了紅、綠、藍(lán)Micro-LED微顯陣列。


公司致力于為全球客戶提供高品質(zhì)的硅襯底Micro LED外延芯片和器件模組,助力元宇宙無限可能的應(yīng)用。


特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)

  1. 利用大尺寸硅襯底GaN技術(shù)制備Micro LED;具有大尺寸、低成本、無損去襯底、IC工藝兼容性等諸多優(yōu)勢;

  2. 8英寸的襯底相比于4英寸的襯底,單位襯底面積的Micro LED芯片產(chǎn)出增加了25%;

  3. 利用8英寸硅襯底制備Micro LED,每個(gè)顯示模組的BOM成本只有4英寸藍(lán)寶石方案上的30%(含外延、芯片和CMOS)。

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