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晶能光電|硅襯底Micro LED技術(shù)最新進展

時間:2022-08-10 來源: 點擊:4492

2022年8月9日,集邦咨詢第三代半導(dǎo)體前沿趨勢研討會圓滿閉幕。此次大會主要討論GaN/SiC等第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用趨勢和優(yōu)勢,以及第三代半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、面臨的瓶頸以及技術(shù)突破的方向等。

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晶能光電此次由外延工藝經(jīng)理周名兵分享了以《硅基氮化鎵Micro LED外延與器件研究進展》為主題的報告。報告指出Micro LED作為“終極顯示技術(shù)”其在未來將擁有千億級的市場,將在要求高分辨率、高亮度、高對比度的AR、HUD、車用照明和顯示、可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

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(晶能光電外延工藝經(jīng)理周名兵)


目前Micro LED產(chǎn)業(yè)化仍面臨著關(guān)鍵技術(shù)和成本的挑戰(zhàn),包括紅光光效、巨量轉(zhuǎn)移、晶圓鍵合、及全彩化工藝,迫切需要提升良率,并優(yōu)化檢測和修復(fù)技術(shù)。


從產(chǎn)業(yè)化角度,利用大尺寸硅襯底GaN技術(shù)制備Micro LED,具有低成本、高良率、無損去硅、低翹曲、CMOS兼容性等諸多優(yōu)勢。


8英寸的襯底相比于4英寸的襯底,單位襯底面積的Micro LED芯片產(chǎn)出增加了25%。利用8英寸硅襯底制備Micro LED,每個顯示模組的BOM成本只有4英寸藍寶石方案上的30%(含外延、芯片和CMOS)。


Micro LED產(chǎn)業(yè)化要求高良率的類IC制程,8英寸及以上的硅襯底GaN技術(shù)是實現(xiàn)Micro LED制備和硅IC工藝兼容的重要途徑。


紅光光效是Micro LED技術(shù)面臨的關(guān)鍵瓶頸之一,現(xiàn)有的AlInGaP紅光LED材料力學(xué)性能差,側(cè)壁效應(yīng)使EQE急劇下降。InGaN基紅光Micro LED被認為是突破紅光瓶頸的重要解決方案。晶能光電在InGaN紅光LED的開發(fā)上取得初步成果。在36mil芯片樣品上,1A/cm2的電流密度下EQE為2.7%,峰值波長670nm,發(fā)光半高寬小于60nm.

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晶能光電擁有領(lǐng)先的硅襯底LED技術(shù),是擁有大規(guī)模生產(chǎn)制造能力的硅襯底LED生產(chǎn)企業(yè)。公司的硅襯底LED產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋外延、芯片、器件、模組,并開發(fā)了高光效、高良率、大尺寸的近紫外、紅、綠、藍硅襯底GaN基LED外延片,并成功制備了三基色GaN Micro LED顯示陣列。

未來晶能光電將發(fā)揮硅襯底GaN技術(shù)及完整產(chǎn)業(yè)鏈的優(yōu)勢,與行業(yè)同仁通力合作打破材料和技術(shù)的瓶頸,共同推動Micro LED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。



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