5月14日上午，由中國電子材料行業(yè)協(xié)會和中國半導體照明/LED產業(yè)與應用聯(lián)盟聯(lián)合主辦的“2015?LED配套材料產業(yè)交流對接會”在寧波順利舉行。晶能光電陳振博士受邀出席，并在大會上與參會人員分享了硅襯底LED技術和紫外LED研究的最新進展。

自2012年硅襯底大功率LED芯片量產以來，晶能光電硅襯底大功率LED產品得到快速提升。以45mil硅襯底大功率LED芯片為例，封裝后藍光輸出功率達700mW@350mA，白光LED光效可達150lm/W。

在深厚的LED外延和芯片技術的基礎上，晶能光電將GaN-LED產品線延展至紫外LED，推出了370-410nm高光效UVA LED產品，采用獨特的UV-LED外延技術，克服發(fā)光效率低于藍光LED和電子空穴不易被束縛在發(fā)光層中的難點，性能達到國際一流水平。

從第三方測試結果來看，晶能光電UVA-LED表現(xiàn)出優(yōu)異的性能指標，半導體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室測試結果顯示峰值外量子效率達到了67%， 350mA和500mA條件下，亮度可分別達到700mW和1000mW，發(fā)光效率和藍光LED芯片相當，Droop遠遠優(yōu)于藍光LED芯片。同時，晶能光電UVA-LED產品具有優(yōu)異的可靠性，以395nm倒裝結構45×45mil芯片，采用陶瓷封裝后，在PCB板溫度為85度和老化電流700mA的條件下，1000小時持續(xù)點亮后測試，其反向漏電0.6uA，光衰為-2.48%；在1000mA老化1000小時后，光衰小于10%。

目前，晶能光電紫外LED芯片結構包括橫向、倒裝和垂直三種主流結構，涵蓋大中小功率范圍，可以滿足近紫外波段用戶的各種需求，已出口韓國等國家，受到用戶的一致好評。

會上，陳振博士還介紹了紫外LED外延設計的重要性，詳細闡述了極化場對量子阱的影響。晶能光電在紫外LED技術領域的成績得到與會專家和同行的高度認可。